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我们的 FAE 团队可以基于你的应用场景推荐最优器件组合。

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CX-BLE54-LD

超低功耗 BLE 5.4 SoC，集成 ARM Cortex-M0+ 内核，深度睡眠电流 < 1μA，适用于 IoT 传感节点。

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CX-BT53-AU

双模蓝牙 5.3 + LE Audio 平台，内置 DSP 与 Codec 加速，支持 Auracast 广播音频。

CX-MESH-1M

支持 BLE Mesh / Zigbee 协议，多节点组网稳定，已商用照明、传感器场景。

CX-BLE52-S

高性价比 BLE 5.2 平台，外设丰富，适合遥控器、Beacon、健康穿戴等通用场景。

CX-N60R

60V N 沟道 MOSFET，Rds(on) 低至 4.5mΩ，适用于同步整流、BMS 保护。

CX-N100R

100V N 沟道增强型 MOSFET，TO-220 / TO-252 多种封装。

CX-N600S

600V 超结 MOSFET，适用于 PFC、LLC 谐振电源、快充方案。

CX-N650S

650V 超结，效率优化版，适配 3kW 以内开关电源与逆变器。

CX-P30

-30V P 沟道 MOSFET，适用于电池保护、负载开关。

CX-A100

AEC-Q101 认证车规级 MOSFET，适用于车身电子、BMS。

CX-IGBT-1200

1200V/40A 单管 IGBT，适用于变频器、电焊机主回路。

CX-IGBT-650

650V/75A 单管 IGBT，低饱和压降，高开关频率。

CX-IGBT-MOD

1200V/300A IGBT 模块，半桥 / 全桥 / 三相可选，集成温度采样。

CX-SiC-D1200

1200V SiC 肖特基二极管，零反向恢复损耗，PFC 整流首选。

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CX-SiC-M1200

1200V SiC MOSFET，Rds(on) 低至 40mΩ，光伏逆变、储能高效变换。

CX-SiC-PWR

全 SiC 功率模块，集成驱动与保护，适用于车载 OBC、DCDC 变换器。

CX-GaN-650

650V GaN HEMT，集成驱动，体积可做到 65W 快充仅 30cc 以内。

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CX-GaN-IC

合封 GaN 功率 IC，集成驱动 + 保护，外围极简，加速产品上市。

CX-DRV-1ED

单通道隔离式栅极驱动，驱动能力 ±4A，适用于 SiC / GaN 高频应用。

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CX-DRV-Half

半桥驱动 IC，内置死区控制，适配 100V~600V 功率器件。

CX-MCU-M4

高性能 M4 内核 MCU，主频 180MHz，丰富外设，适用于电机控制与电源数字控制。

CX-MCU-G0

高性价比 M0+ MCU，外设丰富，适合消费电子与小家电主控。